금번 분과회의는 지난 5월 바이든 미 대통령 방한 계기에 산업부와 상무부가 체결(5.21)했던 '한미 공급망‧산업대화(SCCD) 양해각서(MOU)' 후속조치의 일환으로 추진된 것으로, 양국은 한미 SCCD의 첨단제조‧공급망 워킹그룹 내에 반도체 관련 사안을 보다 심층적으로 논의하기 위해 동 분과회의를 운영하기로 했으며, 기존의 양국간 반도체 협력 채널이었던 '한미 반도체 파트너십 대화 (SPD: Semiconductor Partnership Dialogue)' 에서의 논의도 동 분과회의에서 승계하기로 했다.
금번 분과회의의 논의는 반도체 분야 ⑴산업협력과 ⑵공급망 관련 이슈의 두 가지 파트로 나뉘어서 진행됐다.
산업협력 관련 논의에서는 R&D 지원 프로그램 및 투자 인센티브 등 반도체 정책에 대한 정보를 공유하고 양국 간 R&D 협력 방안을 논의했으며,공급망 관련 논의에서는 반도체 시장의 현황 및 중장기 전망, 반도체 공급망의 불안 요인 등에 대한 정보‧입장을 공유하는 한편, 양국은 미국 반도체지원법의 이행 준비상황도 논의, 특히 동 법상의 가드레일 조항에 대해서도 의견을 교환했다.
양국은 반도체 산업 현황 및 정책 동향 등에 대한 정보를 공유하고, 산업협력 및 공급망 관련 성과사업을 발굴하기 위해, 앞으로도 한미 SCCD의 반도체 분과회의 채널을 적극 활용하기로 했다.